HUF75339G3参数：MOSFET N-CH 55V 75A TO-247
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： PlatingMaterial20/Dec/2007标准包装：300系列：UltraFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：75A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：12毫欧@75A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：130nC@20V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2000pF@25V功率-最大值：200W安装类型：通孔封装：TO-247-3供应商器件封装：TO-247
