HUF75829D3参数：MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1,800系列：UltraFET™包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：150V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：18A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：110 毫欧 @ 18A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：70nC @ 20V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1080pF @ 25V功率 - 最大值：110W安装类型：通孔封装：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA供应商器件封装：I-Pak
