HUF76609D3参数:MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence: MultipleDevices14/Mar/2011标准包装:75系列:UltraFET™包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):100V电流-连续漏极(Id)(25°C时):10A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):160毫欧@10A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):16nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):425pF@25V功率-最大值:49W安装类型:通孔封装:TO-251-3短引线,IPak,TO-251AA供应商器件封装:TO-251AA