HUFA76413DK8T参数:MOSFET N-CHAN 60V 4.8A SO-8
类别:分立半导体产品-FET - 阵列PCNObsolescence: MultipleDevices14/Mar/2011标准包装:2,500系列:UltraFET™包装:带卷(TR)FET类型:2个N沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):60V电流-连续漏极(Id)(25°C时):5.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):49毫欧@5.1A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):23nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):620pF@25V功率-最大值:2.5W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:SO-8