HYB25D512800CE-5参数：IC DDR SDRAM 512M 200MHZ 66TSOP
类别：集成电路 (IC)-存储器标准包装：1,500系列：-包装：带卷 (TR)格式 - 存储器：RAM存储器类型：DDR SDRAM存储容量：512M（64M x 8）速度：200MHz接口：并联电压 - 电源：2.3 V ~ 2.7 V工作温度：0°C ~ 70°C封装：66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽）供应商器件封装：66-TSOP II
