IGB01N120H2参数:IGBT 1200V 1A 28W TO263-3-2
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:1,000系列:-包装:带卷 (TR)IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.8V @ 15V,1A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3.2ACurrent - Collector Pulsed (Icm):3.5A功率 - 最大值:28WSwitching Energy:140µJ输入类型:标准Gate Charge:8.6nCTd (on/off) A 25°C:13ns/370nsTest Condition:800V, 1A, 241 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TO263-3-2