IHD10N60RA参数:IGBT 600V 20A 110W TO252-3
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:2,500系列:TrenchStop™包装:带卷 (TR)IGBT 类型:沟道电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,10A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20ACurrent - Collector Pulsed (Icm):30A功率 - 最大值:110WSwitching Energy:270µJ输入类型:标准Gate Charge:62nCTd (on/off) A 25°C:-/170nsTest Condition:400V, 10A, 23 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TO252-3