IKB30N65EH5ATMA1

IKB03N120H2
PDF资料下载

IKB03N120H2参数：IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：1,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.8V @ 15V，3A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：9.6A
Current - Collector Pulsed (Icm)：9.9A
功率 - 最大值：62.5W
Switching Energy：290µJ
输入类型：标准
Gate Charge：22nC
Td (on/off) A 25°C：9.2ns/281ns
Test Condition：800V, 3A, 82 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：42ns
封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：PG-TO263-3-2