IKD04N60R参数:IGBT 600V 8A 75W TO252-3
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:2,500系列:TrenchStop™包装:带卷 (TR)IGBT 类型:沟道电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,4A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8ACurrent - Collector Pulsed (Icm):12A功率 - 最大值:75WSwitching Energy:240µJ输入类型:标准Gate Charge:27nCTd (on/off) A 25°C:14ns/146nsTest Condition:400V, 4A, 43 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):43ns封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TO252-3