IMD6AT108

IMD6AT108
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IMD6AT108参数：TRANS PNP/NPN 50V 100MA SOT-457

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
产品目录绘图： SOT-457PackageTop
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏压式（双）
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底(R1)(Ω)：4.7k
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：-
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：100@1mA，5V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：300mV@250µA，5mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）
频率-跃迁：250MHz
功率-最大值：300mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-74，SOT-457
供应商器件封装：SMT6