IMH21T110参数:TRANS DIGITAL NPN 20V 600MA SMT6
类别:分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式标准包装:3,000系列:-包装:带卷 (TR)晶体管类型:2 NPN 预偏压(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值):600mA电压 - 集射极击穿(最大值):20V电阻器 - 基底 (R1) (Ω):10k电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):-不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):820 @ 50mA,5V不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 2.5mA,50mA电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)频率 - 跃迁:150MHz功率 - 最大值:300mW安装类型:表面贴装封装:SC-74,SOT-457供应商器件封装:SMT6