IPA50R299CP参数：MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters标准包装：500系列：CoolMOS™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：550V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：299毫欧@6.6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.5V@440µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：31nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1190pF@100V功率-最大值：104W安装类型：通孔封装：TO-220-3整包供应商器件封装：PG-TO220-FP
