IPA50R650CE参数：MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP
类别：分立半导体产品-FET - 单应用说明： 500VCoolMOSCEApplicationNote产品培训模块： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters标准包装：500系列：CoolMOS™包装：散装FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：650毫欧@1.8A,13V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.5V@150µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：342pF@100V功率-最大值：27W安装类型：通孔封装：TO-220-3整包供应商器件封装：PG-TO247-3
