IPA60R165CP参数:MOSFET N-CH 650V 21A TO220-3
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters标准包装:500系列:CoolMOS™包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):600V电流-连续漏极(Id)(25°C时):21A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):165毫欧@12A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3.5V@660µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):52nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):2000pF@100V功率-最大值:34W安装类型:通孔封装:TO-220-3整包供应商器件封装:PG-TO-220-FP