IPA028N08N3 G参数：MOSFET N-CH 80V 89A TO220-3
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：500系列：OptiMOS™包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：80V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：89A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.8 毫欧 @ 89A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 270µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：206nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14200pF @ 40V功率 - 最大值：42W安装类型：通孔封装：TO-220-3 整包供应商器件封装：PG-TO220-FP
