IPB019N08N3 G参数：MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1,000系列：OptiMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：80V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：180A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.9 毫欧 @ 100A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 270µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：206nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14200pF @ 40V功率 - 最大值：300W安装类型：表面贴装封装：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA供应商器件封装：PG-TO263-7
