IPB049N06L3 G参数：MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012标准包装：1,000系列：OptiMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：80A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.7毫欧@80A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.2V@58µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：50nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：8400pF@30V功率-最大值：115W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：PG-TO263-2
