首页 > IC > I-1061页 >

IPB08CN10NG

供应查询
您是不是要找：IPB08CNE8IPB08CNE8N GIPB08CNE8NGIPB090N06N3GIPB090N06N3GATMA1
IPB08CN10NG
InfineonTechno..
TO-263-3,Dsu..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
深圳市科锦电子有限公司 VIP会员
电话：18923786596
联系人：肖小姐
QQ询价
IPB08CN10NG
INFINEON
TO263-3-2
2023+
10000
品质保证,价格优惠
深圳市同亨电子有限公司.. VIP会员
电话：0755-23816885
联系人：洪小姐
QQ询价
IPB08CN10NG
INFINEN
TO-263
2023+
12437
全新进口原装现货,特价热卖
深圳市迈特新科技有限公司 VIP会员
电话：0755-83217923
联系人：李先生
QQ询价
IPB08CN10NG
INFINEON
TO263-3-2
2023+
7664
全新原装现货，特价热卖
IPB08CN10NG
英飞凌
(TO-263)
2023+
3400
低价格.高品质.服务好.现..
相关型号： IPB08CN10N G IPB085N06L G IPB083N10N3 G IPB081N06L3 G IPB080N06N G IPB080N03L G

IPB08CN10N G
PDF资料下载

IPB08CN10N G参数：MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation11/Dec/2009
标准包装：1,000
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：95A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8.2毫欧@95A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@130µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：100nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：6660pF@50V
功率-最大值：167W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：PG-TO263-3

关于我们|联系我们|网站申明|网站地图
© 2010 搜电网