首页 > IC > I-1062页 >

IPB100N06S3-04

供应查询
您是不是要找：IPB100N06S3L-03IPB100N06S3L-04IPB100N08S2-07IPB100N08S207ATMA1IPB100N08S2L-07
IPB100N06S3-04
Infineon Techn..
PG-TO263-3-2
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
深圳市同亨电子有限公司 VIP会员
电话：075523816885/18922857317(微信同号)
联系人：洪小姐
QQ询价
IPB100N06S3-04
INFINEON
TO263-3-2
2023+
6278
全新进口原装现货,保证质量
深圳市科锦电子有限公司 VIP会员
电话：18923786596
联系人：肖小姐
QQ询价
IPB100N06S3-04
InfineonTechno..
TO-263-3,Dsu..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
深圳市科锦电子有限公司 VIP会员
电话：18923786596
联系人：肖小姐
QQ询价
IPB100N06S3-04
INFINEON
TO263-3-2
2023+
24260
品质保证,价格优惠
深圳市同亨电子有限公司.. VIP会员
电话：0755-23816885
联系人：洪小姐
QQ询价
IPB100N06S3-04
英飞凌
(TO-263)
2023+
1800
低价格.高品质.服务好.现..
相关型号： IPB100N06S3-03 IPB100N06S2L-05 IPB100N06S2-05 IPB100N04S4-H2 IPB100N04S3-03 IPB100N04S2L-03

IPB100N06S3-04
PDF资料下载

IPB100N06S3-04参数：MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation22/Jul/2010
标准包装：1,000
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.1毫欧@80A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@150µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：314nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：14230pF@25V
功率-最大值：214W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：PG-TO263-3

关于我们|联系我们|网站申明|网站地图
© 2010 搜电网