IPD09N03LA G参数:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单产品变化通告: ProductDiscontinuation04/Jun/2009标准包装:2,500系列:OptiMOS™包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):25V电流-连续漏极(Id)(25°C时):50A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):8.6毫欧@30A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@20µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):13nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):1642pF@15V功率-最大值:63W安装类型:表面贴装封装:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63供应商器件封装:PG-TO252-3