IPD100N04S4-02参数:MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:2,500系列:OptiMOS™包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):40V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2 毫欧 @ 100A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 95µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):118nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9430pF @ 25V功率 - 最大值:150W安装类型:表面贴装封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商器件封装:PG-TO252-3-313