IPD122N10N3 G参数:MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:2,500系列:OptiMOS™包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):100V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):59A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):12.2 毫欧 @ 46A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 46µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2500pF @ 50V功率 - 最大值:94W安装类型:表面贴装封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商器件封装:PG-TO252-3