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IPD30N06S2L

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相关型号： IPD30N06S2-23 IPD30N06S2-15 IPD30N03S4L-14 IPD30N03S4L-09 IPD30N03S2L-20 IPD30N03S2L-10

IPD30N06S2L-13
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IPD30N06S2L-13参数：MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：OptiMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：55V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：30A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：13 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 80µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：69nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1800pF @ 25V
功率 - 最大值：136W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3

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