首页 > IC > I-1080页 >

IPD50N06S2-14

供应查询

您是不是要找：IPD50N06S214ATMA1 IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S2L IPD50N06S2L-13 IPD50N06S2L13ATMA1

IPD50N06S2-14

INFINEON

TO-252

2023+

1726

全新进口原装现货,保证质量

深圳市科锦电子有限公司

电话：18923786596
联系人：肖小姐

IPD50N06S2-14

InfineonTechno..

TO-252-3,DPa..

2023+

1250

全新进口原装现货品质保证

深圳市科锦电子有限公司

电话：18923786596
联系人：肖小姐

IPD50N06S2-14

INFINEON

TO252-3-11

2023+

24260

品质保证,价格优惠

深圳市同亨电子有限公司..

电话：0755-23816885
联系人：洪小姐

IPD50N06S2-14

Infineon

DPAK-3

2023+

12300

【【原装绝对有货】】

IPD50N06S2-14

英飞凌

TO-252

2023+

5000

低价格.高品质.服务好.现..

IPD50N06S2-14

INFINEON

TO-252

2023+

13520

原装现货

相关型号： IPD50N04S4L-08 IPD50N04S4-10 IPD50N04S4-08 IPD50N04S3-09 IPD50N04S3-08 IPD50N03S2L-06

IPD50N06S2-14
PDF资料下载

IPD50N06S2-14参数：MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：OptiMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：55V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：50A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：14.4 毫欧 @ 32A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 80µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：52nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1485pF @ 25V
功率 - 最大值：136W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3

IPD50N06S2-14

document.write('<a href=http://www.infineon.com/dgdl/IPD50N06S2-14_green_DS_1_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a rel=nofollow class=tit target="_blank">')IPD50N06S2-14PDF资料下载document.write('</a>')

在线询价

IPD50N06S2-14
PDF资料下载