IPD80N06S3-09参数：MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation22/Jul/2010标准包装：2,500系列：OptiMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：80A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8.4毫欧@40A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@55µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：88nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：6100pF@25V功率-最大值：107W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：PG-TO252-3
