IPD90R1K2C3参数：MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters标准包装：2,500系列：CoolMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：900V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.2欧姆@2.8A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.5V@310µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：28nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：710pF@100V功率-最大值：83W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：PG-TO252-3
