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IPDH6N03LA

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相关型号： IPDH5N03LA G IPDH4N03LAG IP-DC-SA IPD90R1K2C3 IPD90P03P4L-04 IPD90P03P4-04

IPDH6N03LAG
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IPDH6N03LAG参数：MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation04/Jun/2009
标准包装：2,500
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：50A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6毫欧@50A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@30µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：19nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2390pF@15V
功率-最大值：71W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3

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