IPP05CN10L G参数：MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012标准包装：500系列：OptiMOS™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5.1毫欧@100A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：163nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：15600pF@50V功率-最大值：300W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：PG-TO220-3
InfineonTO-2202023+21850原装现货质量保证
