IPP100P03P3L-04参数：MOSFET P-CH 30V 100A TO220-3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： IP(B,I,P)100P03P3L-04Discontinuation14/Aug/2009标准包装：500系列：OptiMOS™包装：管件FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.3毫欧@80A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.1V@475µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：200nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：9300pF@25V功率-最大值：200W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：PG-TO220-3
