IPP50R380CE参数：MOSFET N CH 500V 9.9A PGTO220
类别：分立半导体产品-FET - 单应用说明： 500VCoolMOSCEApplicationNote标准包装：500系列：CoolMOS™包装：散装FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9.9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：380毫欧@3.2A,13V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.5V@260µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：24.8nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：584pF@100V功率-最大值：73W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：PG-TO-220-3
