IPS040N03L G参数：MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation19/Mar/2010标准包装：1,500系列：OptiMOS™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：90A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4毫欧@30A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：38nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3900pF@15V功率-最大值：79W安装类型：通孔封装：TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA供应商器件封装：PG-TO251-3
