IPS110N12N3 G参数：MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,500系列：OptiMOS™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：120V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：75A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：11 毫欧 @ 75A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 83µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：65nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4310pF @ 60V功率 - 最大值：136W安装类型：通孔封装：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA供应商器件封装：PG-TO251-3
