IPW50R190CE参数：MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247
类别：分立半导体产品-FET - 单应用说明： 500VCoolMOSCEApplicationNote标准包装：240系列：CoolMOS™包装：散装FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：18.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：190毫欧@6.2A,13V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.5V@510µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：47.2nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1137pF@100V功率-最大值：127W安装类型：通孔封装：TO-247-3供应商器件封装：PG-TO247-3
