IPW65R660CFD参数:MOSFET N-CH 700V 6.0A TO247
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:240系列:CoolMOS™包装:管件FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):700V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):660 毫欧 @ 2.1A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 200µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):615pF @ 100V功率 - 最大值:62.5W安装类型:通孔封装:TO-247-3供应商器件封装:PG-TO247-3