IRC644PBF参数：MOSFET N-CH 250V 14A TO-220-5
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： IRCSeriesSide标准包装：1,000系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：电流感测漏源极电压(Vdss)：250V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：14A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：280毫欧@8.4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：65nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1200pF@25V功率-最大值：125W安装类型：通孔封装：TO-220-5供应商器件封装：TO-220-5
