IRF1310NSPBF参数:MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源: IRF1310NSPBFSaberModel IRF1310NSPBFSpiceModel标准包装:50系列:HEXFET®包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):100V电流-连续漏极(Id)(25°C时):42A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):36毫欧@22A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):110nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):1900pF@25V功率-最大值:3.8W安装类型:表面贴装封装:TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:D2PAK