IRF1310NL参数:MOSFET N-CH 100V 42A TO-262
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:50系列:HEXFET®包装:管件FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):100V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):42A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):36 毫欧 @ 22A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):110nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1900pF @ 25V功率 - 最大值:3.8W安装类型:通孔封装:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA供应商器件封装:TO-262