IRF1312PBF参数：MOSFET N-CH 80V 95A TO-220AB
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： Gen8Rev208/Jul/2011标准包装：50系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：80V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：95A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：10毫欧@57A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：140nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：5450pF@25V功率-最大值：3.8W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB