IRF1405ZS-7P参数:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7
类别:分立半导体产品-FET - 单设计资源: IRF1405ZS-7PSaberModel IRF1405ZS-7PSpiceModel标准包装:50系列:HEXFET®包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):55V电流-连续漏极(Id)(25°C时):120A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):4.9毫欧@88A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@150µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):230nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):5360pF@25V功率-最大值:230W安装类型:表面贴装封装:TO-263-7,D²Pak(6引线+接片),TO-263CB供应商器件封装:D2PAK(7-Lead)