IRF1405ZS-7PPBF参数：MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRF1405ZS-7PSaberModel IRF1405ZS-7PSpiceModel标准包装：50系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：120A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.9毫欧@88A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@150µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：230nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：5360pF@25V功率-最大值：230W安装类型：表面贴装封装：TO-263-7，D²Pak（6引线+接片），TO-263CB供应商器件封装：D2PAK（7-Lead）
