IRF1902GPBF参数：MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：95系列：*包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：85毫欧@4A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：7.5nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：310pF@15V功率-最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO
