IRF1910

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IRF1902GPBF参数：MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：95
系列：*
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：85毫欧@4A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：7.5nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：310pF@15V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO