IRF3000参数：MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：95系列：HEXFET®包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：300V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 960mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：33nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：730pF @ 25V功率 - 最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SO
