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IRF3205STRRPBF

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IRF3205STRRPBF
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IRF3205STRRPBF参数：MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRF3205SPBFSaberModel IRF3205SPBFSpiceModel
标准包装：800
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：110A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8毫欧@62A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：146nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：3247pF@25V
功率-最大值：200W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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