IRF3704ZLPBF参数:MOSFET N-CH 20V 67A TO-262
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源: IRF3704ZLPBFSaberModel IRF3704ZLPBFSpiceModel标准包装:50系列:HEXFET®包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):67A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):7.9毫欧@21A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.55V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):13nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):1220pF@10V功率-最大值:57W安装类型:通孔封装:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA供应商器件封装:TO-262