IRF3706S参数:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
类别:分立半导体产品-FET - 单设计资源: IRF3706LSaberModel IRF3706LSpiceModel标准包装:50系列:HEXFET®包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):77A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):8.5毫欧@15A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):35nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):2410pF@10V功率-最大值:88W安装类型:表面贴装封装:TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:D2PAK