IRF3709ZCSTRL参数:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
类别:分立半导体产品-FET - 单设计资源: IRF3709ZCLSaberModel IRF3709ZCLSpiceModel标准包装:800系列:HEXFET®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):87A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):6.3毫欧@21A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.25V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):26nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):2130pF@15V功率-最大值:79W安装类型:表面贴装封装:TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:D2PAK