IRF3711S参数：MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：50系列：HEXFET®包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：110A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：6 毫欧 @ 15A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：44nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2980pF @ 10V功率 - 最大值：3.1W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D2PAK
