IRF3711STRRPBF参数:MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装:800系列:HEXFET®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):110A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):6毫欧@15A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):44nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):2980pF@10V功率-最大值:3.1W安装类型:表面贴装封装:TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:D2PAK