IRF3000参数:MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:95系列:HEXFET®包装:管件FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):300V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 960mA,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):730pF @ 25V功率 - 最大值:2.5W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装:8-SO